PROM (англ. Programmable Read-Only Memory) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память с пережигаемыми перемычками.

Память представляла собой двумерный массив проводников (строк и столбцов) на пересечении которых создавалась специальная перемычка из металла (например, нихрома или титаново-вольфрамового сплава) или аморфного кремния. Программирование заключалось в пропускании через соответствующую перемычку тока, который заставлял её разорваться — расплавиться и испариться. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.

Несмотря на кажущуюся надежность такого решения эта технология оказалась весьма капризной. Металлические перемычки при программировании образовывали капли и пары металла, которые оседали обратно на кристалл в самых неожиданных местах с соответствующими неприятными последствиями. Поликремниевые перемычки имели способность к самовосстановлению за счет миграции атомов. По этой причине микросхемы после программирования требовалось выдерживать длительное время при высокой температуре с целью выявления потенциальных дефектов этого типа.

В конечном итоге память на пережигаемых перемычках была вытеснена решениями на транзисторах с плавающим затвором (EPROM, EEPROM и флеш-памятью).

Недостатки PROM

• Малый объём хранимых данных.
• В PROM возможно изменение данных путем «довыжигания» тех перемычек, которые еще не были уничтожены. Для борьбы с такими изменениями могут применяться контрольные суммы.

Преимущества

• Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель.
• Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.

Ссылки

• Progress of the PROM - the micro's mate // New Scientist, 5 july 1979